哪些分段驱动电源好,哪里有?

 2022-04-15    44  

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充电头网获悉,近日,maoshuo技术条例要求强制性国家标准GB 20943中国和欧洲电工标准化委员会IEC amd2,两位的氮化镓器件使用低内阻G1N65R150TA动态与G1N65R050TB Cascode auto-recherche芯片,加上IVCC1102 persiantronic,智能混合信号无桥totem pole PFC +LLC是第一个实现700W批量生产电源解决方案的公司。其满电效率高达96.72%,符合titan80plus的能效标准。哪些分段驱动电源好,哪里有?

氮化镓图腾PFC

作为一种近乎完美的高功率因数电路,设计人员采用4 MOSFET将整流器和PFC功能结合在一起,减少了元件的数量,同时提高了整流器链路的效率。然而,在传统的MOSFET超级结管中存在寄生三极管。当DV/DT过高时,很容易驱动寄生三极管,引起雪崩破裂。

同时,MOSFET Super Junction也存在直接电流和体二极管反向恢复造成的损耗问题。因此,当监控器以大电流快速点亮时,由二次管反向Qrr恢复负载引起的瞬态电流会直接烧毁MOS。而要解决这个问题,只能使用非连续CRM模式,让电流降至0,然后打开,以平均电流的价格,功率只有原来的一半。哪些分段驱动电源好,哪里有?

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而GaNext GaN可以很好地解决上述问题。氮化镓的导电原理是由两层氮化镓和铝镓氮在二维空间中的压电作用形成的。不仅没有寄生体二极管和三极管,DV/DT故障模式不会发生,而且还具有其他优越的性能。从上表中可以看出,氮化镓的hq和输出容量是超结MOSFET的五分之一。

GaN的Qrr是MOSFET Super Junction的1/200 !即使与专门为快速恢复而设计的MOSFET Super Junction相比,Qrr的性能也提高了10倍。这意味着GaN允许PFC图腾在直流电模式下工作,以提高效率,同时保持高功率密度,实现接近理想的转换效率。

maoshoo技术采用GaN装置无桥图腾PFC程序,设计除了输入整流器桥固有的Vf损耗外,还解决了传统FPC线路效率无法提高的问题。同时,通过GaN级码的应用,解决了MOSFET PFC totem的Qrr反向恢复负荷过高的问题,只能采用CRM工作模式。使用等效Qrr非常低的Cascode GaN设备,PFC可以在直流电模式下工作,在不牺牲功率密度的情况下提高效率,实现高达99.1%的转换效率。哪些分段驱动电源好,哪里有?

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